特許

J-GLOBAL ID：200903054458346265

シリコン半導体基板の熱処理方法

発明者： 赤塚 雅則 ,  奥井 正彦 ,  末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292369
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110683
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】表面には十分な厚さのDZが形成され、このDZに近接してゲッタリング源となる高密度の酸素析出物ないしはBMDが生じ、かつ内部には酸素析出物が多くないウェーハを安定して得るためのシリコンウェーハの急速昇降温熱処理方法の提供。【解決手段】酸素濃度が11〜17×1017atoms/cm3のシリコン単結晶より採取した基板用素材を用い、昇温速度を10〜30°C/秒として1100〜1300°Cに加熱し、その後の冷却は、この処理ををアルゴン雰囲気中で実施する場合は50°C/秒以上の冷却速度、窒素または窒素を含む雰囲気中にて実施する場合に1〜25°C/秒とする急速昇降温熱処理方法。

請求項（抜粋）：

酸素濃度が11〜17×1017atoms/cm3のシリコン単結晶より採取した基板用素材を用い、アルゴン雰囲気中で昇温速度を10〜30°C/秒として1100〜1300°Cに加熱し、50°C/秒以上の冷却速度にて冷却することを特徴とする、表面に厚さ10μm以上の無欠陥層を有し、かつ酸素析出物密度が厚さ中心部は低く表面の無欠陥層に近い方は高いシリコン半導体用基板の急速昇降温熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/26

FI (2件)：

H01L 21/322 Y ,  H01L 21/26 F