特許

J-GLOBAL ID：200903054461868612

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： トマス・ハンター ,  ジョーゼフ・エム・モートン ,  スーザン・アーレリーン・ショア ,  アンソニー・ジェイ・ユー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-109530
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055982
出願日： 1995年05月08日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 CVD付着を用いないで形成されたバリア層を有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体デバイスは、第1の導電型の半導体基板と、ドーパントを用いて半導体基板中に形成された、第2の導電型の第1導電層と、第1導電層上に形成されたシリコン・リッチな窒化物48膜と、シリコン・リッチな窒化物膜上に形成された第2導電層50とを備え、シリコン・リッチな窒化物膜が、第1導電層から第2導電層へのドーパントの外方拡散を阻止し、第2導電層と第1導電層の間での相互拡散を妨げる。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板と、ドーバントを用いて前記半導体基板中に形成された、第2の導電型の第1導電層と、前記第1導電層上に形成されたシリコン・リッチな窒化物膜と、前記シリコン・リッチな窒化物膜上に形成された第2導電層とを備え、前記シリコン・リッチな窒化物膜が、前記第1導電層から前記第2導電層へのドーパントの外方拡散を阻止し、前記第2導電層と前記第1導電層の間での相互拡散を妨げることを特徴とする、半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-195975
  
• 特開昭61-030076