特許
J-GLOBAL ID：200903054462534041
半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144284
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017945
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】半導体の不揮発性記憶素子において、その書込み消去回数の増加と、書込み消去の動作電圧の低電圧化あるいは低消費電力化を実現し、フラッシュEEPROMの性能向上を図る。【構成】フローティングゲート型トランジスタの不揮発性記憶素子において、ゲート絶縁膜の一部にシリコン窒化物を用い、フローティングゲート電極とコントロールゲート電極との間の絶縁膜を高誘電率膜で形成し、この高誘電率膜の組成を連続的あるいは不連続的に変え、あるいは2種類以上の高誘電率膜を積層する構造にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の絶縁膜を介して設けられたフローティングゲート電極と、前記フローティングゲート電極上に第2の絶縁膜を介して設けられたコントロールゲート電極を有する半導体の不揮発性記憶素子において、前記第1の絶縁膜の膜厚及び比誘電率をそれぞれt1 及びε1 とし、前記第2の絶縁膜の膜厚及び比誘電率をそれぞれt2 及びε2 として、ε2 /ε1 が14≦ε2 /ε1 の関係とt2 /t1 ≦ε2 /ε1 の関係とを満足することを特徴とした半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
