特許
J-GLOBAL ID：200903054464923916
半導体装置の配線形成方法及びそのための灰化装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286497
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148498
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 銅系材料からなる配線または積層配線のレジスト除去を目的とした灰化プロセスにおいて、レジスト灰化による集積回路の銅配線の酸化を防止する。【構成】 配線パターンを加工する際のレジスト灰化プロセスにおいて、基板を冷却しつつ灰化を行い、または低酸素分圧下で灰化を行う。または灰化中または灰化後に還元性ガスを流す。または配線の側壁に高融点金属またはAlを堆積した後で灰化を行う。【効果】 配線の酸化を防止することができる。これによって抵抗が低く、エレクトロマイグレーション寿命、ストレスマイグレーション寿命の長い配線が得られ、集積回路の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上の集積回路の上に、銅系材料を含む配線層を形成し、この配線構造をレジストを用いてエッチングすることにより配線層の配線パターンを写真製版プロセスにより形成し、次に、基板を100°C以下に冷却しつつ灰化を行い、エッチング後に残っているレジストを除去することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3213
, G03F 7/42
, H01L 21/306
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H05K 3/06
, H05K 3/28
H01L 21/88 C
, H01L 21/306 F
, H01L 21/88 J
, H01L 21/88 B
, H01L 21/90 A
