特許

J-GLOBAL ID：200903054465781945

エッチング方法、エッチング装置および半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 勝山 雅則 ,  八木 清美 ,  榎並 弘充
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051122
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267895
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 酸化シリコン膜上に堆積した窒化シリコン膜を高選択比でエッチングすることのできるプラズマエッチング技術を提供する。【構成】 被エッチング膜が窒化シリコン膜のみの場合は、あらかじめ設定した2つのRF電力値のうち、高い値のRF電力(High) を印加してエッチングを速やかに進行させる。窒化シリコン膜と下地の酸化シリコン膜とが共存したオーバーエッチング状態では、高い値のRF電力(High) を印加したときに窒化シリコン膜のエッチングを進行させ、低い値のRF電力(Low)を印加したときに副反応生成物(酸化シリコン膜のエッチャント)を排気することによって下地の酸化シリコン膜のエッチングを抑制する。そして、この操作を交互に繰り返すことにより、高選択比を確保しながら窒化シリコン膜をエッチングする。

請求項（抜粋）：

定常状態において選択性の高い第1のエッチング条件に対応する第1の高周波バイアス値と、選択性の低い第2のエッチング条件に対応する第2の高周波バイアス値とを有し、前記選択性の高い第1のエッチング条件に近いエッチング条件が平均して得られるよう、前記第1の高周波バイアス値と前記第2の高周波バイアス値とを交互に切り換えながらエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (6件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/318 ,  H05H 1/46 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-081926
  
• 特開昭57-138139
  
• 特開昭55-033060