シリサイドターゲツトの製造法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329692
公開番号（公開出願番号）：特開平5-140739
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：

【要約】【構成】原料として、粒子径が10μm未満のシリサイド粒子及びシリコン粒子を含む、高融点金属ケイ化物粉末を、焼結温度:1300〜1360°C、圧力:200〜300kgf/cm2、保持時間:1〜10時間で加圧焼結するシリサイドターゲットの製造法。【効果】この発明のターゲットを使用してスパッタ成膜を行うと、ウェハー上のパーティクル発生が非常に少なくなる。

請求項（抜粋）：

粒子径が共に10μm未満のシリサイド粒子及びシリコン粒子を含み、MSix(M=高融点金属、x=2〜3)に調整した高融点金属ケイ化物粉末を、焼結温度:1300〜1360°C、圧力:200〜300kgf/cm2、保持時間:1〜10時間で加圧焼結することを特徴とするシリサイドターゲットの製造法。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭62-021765
特開昭61-008143
特開昭64-090045

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