特許

J-GLOBAL ID：200903054471340039

素子回路基板上の絶縁膜の形成方法

発明者： 亀山 誠
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318324
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133649
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 絶縁特性の良好な絶縁膜を基板上に少ない工程数で容易に形成できる、絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】 (1)絶縁膜材料含有ゾルをインクジェット3により基板1上に吐出する工程、及び(2)このゾル付着基板を焼成する工程を含む絶縁膜2の形成方法。基板と絶縁膜との間には表面改質膜を介在させることにより、絶縁膜の端部と基板との接触角θを小さく出来る。

請求項（抜粋）：

ゾルゲル法により基板上に絶縁膜を形成する方法であって、(1)絶縁膜材料含有ゾルをインクジェットにより基板上に吐出する工程、及び(2)該ゾルが付着した基板を焼成して、基板上に絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

H01L 21/316 C ,  H01J 9/02 E

Fターム (6件)：

5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BE10 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02