特許
J-GLOBAL ID：200903054472696783
パターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293565
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147219
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 ポジ型およびネガ型レジストのいずれをも用いることができ、レジストの解像限界より微細なパターンを形成することができるようにする。【構成】 所定のマスクパターンを用いて基板上のフォトレジストを複数回露光してフォトレジストパターンを形成する方法において、複数の露光パターンによりフォトレジストを露光してフォトレジストパターンを形成した後、プラズマアッシングを用いてこのフォトレジストパターンを微細化するという工程をとる。
請求項（抜粋）：
所定のマスクパターンを用いて基体上のフォトレジストを複数回露光してフォトレジストパターンを形成する方法において、複数の露光パターンにより上記フォトレジストを露光してフォトレジストパターンを形成した後、プラズマアッシングを用いて上記フォトレジストパターンを微細化することを特徴とするパターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, H01L 21/304 341
H01L 21/30 502 C
, H01L 21/30 572 A
