特許

J-GLOBAL ID：200903054492408172

半導体基板の平坦化方法

発明者： 寺田 好夫 ,  並河 亮 ,  豊田 英志 ,  徳永 尚文 ,  前川 厚志
出願人/特許権者： 日東電工株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 祢▲ぎ▼元 邦夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-122393
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308177
出願日： 2000年04月18日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に形成された下地層の段差を、半導体基板を汚染させることなく、容易にかつ均一に平坦化する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に段差10のある下地層2を有し、この下地層2上に上記段差10を平坦化するための膜3を設け、この膜3上に粘着シ-ト類4を貼り付け、これを剥離操作することにより、上記膜3を平坦化加工することを特徴とする半導体基板の平坦化方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板の段差を粘着シ-ト類を使用して平坦化することを特徴とする半導体基板の平坦化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 Q ,  H01L 21/88 M

Fターム (3件)：

5F033RR21 ,  5F033SS21 ,  5F033XX01