特許
J-GLOBAL ID：200903054492908299
エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-207756
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041311
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 Siエピタキシャル層から金属不純物が有効に除去されているエピタキシャルSi基板と白傷欠陥の少ない固体撮像装置とを提供する。【解決手段】 Si基板11に5×1013原子cm-2以上のドーズ量で炭素14をイオン注入すると共に炭素14以上のドーズ量で酸素15をイオン注入した後に、Siエピタキシャル層17を形成してエピタキシャルSi基板18を製造する。炭素14と酸素15との化合物がSi基板11中に形成されてゲッタシンクになり、Siエピタキシャル層17から金属不純物が有効に除去され、エピタキシャルSi基板18に形成される固体撮像装置は白傷欠陥が少ない。
請求項（抜粋）：
1×1018原子cm-3以上のピーク濃度を有する炭素とこの炭素以上のピーク濃度を有する酸素とを含むシリコン基板と、このシリコン基板の表面上に積層されているシリコンエピタキシャル層とを有することを特徴とするエピタキシャルシリコン基板。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, H01L 21/02
, H01L 27/148
H01L 21/322 J
, H01L 21/02 B
, H01L 27/14 B
