特許
J-GLOBAL ID：200903054508418408
SiCハイブリッド基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平木 祐輔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-091591
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270368
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板上に導電性と平坦性を備えたバッファー層が形成されたSiCハイブリッド基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiC基板1をアニールし、SiC基板1の温度を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着させ、そののちSiC基板上にn-Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0≦x<1)2を形成する。
請求項（抜粋）：
SiC基板上に表面が平滑な導電性のn-Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0≦x<1)を形成したことを特徴とするSiCハイブリッド基板。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/02
, H01L 29/06
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 21/02 B
, H01L 29/06
, H01L 33/00 A
, H01S 3/18
