特許

J-GLOBAL ID：200903054510429786

表面処理装置及び表面処理方法

発明者： 北川 浩司 ,  小林 正人 ,  外崎 峰広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383139
公開番号（公開出願番号）：特開2002-184344
出願日： 2000年12月12日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：

【要約】【課題】従来に比して処理対象物にイオンを打ち込む際の処理効率を向上し得るイオン注入装置及びイオン注入方法を提案する。【解決手段】電界によって炭素の荷電粒子( C + イオン) を発生させ、磁界によって当該炭素の荷電粒子( C + イオン) がピニオンギア4に到達するまでの経路を制御するアンテナコイル3と、ピニオンギア4に正極性及び負極性のパルス電圧を印加するパルス電源部12とを真空チャンバ2内に設けたことにより、従来よりも短時間かつ容易にプラズマを発生させることができ、なおかつパルス電圧の印加状態に応じてイオンを発生させたときに生じる電子が処理対象物内に蓄積することを回避しながら、従来のようにその都度ピニオンギア4の姿勢を変更しなくとも炭素の荷電粒子( C + イオン) をピニオンギア4の表面に確実にかつ的確に引き込むことができ、かくして、従来に比して処理対象物の表面処理を行う際の処理効率を向上し得る。

請求項（抜粋）：

処理対象物に対して所定の表面処理を施す表面処理装置において、真空状態になされた処理室を有する密閉手段と、上記処理室内の所定位置に設けられた保持具に保持された上記処理対象物に対して正極性及び負極性のパルス電圧を印加する電圧印加手段と、上記保持具にほぼ対向して配置され、電界によって上記処理対象物の処理用に使用するイオンを発生させると共に、磁界によって当該イオンが上記処理対象物に到達するまでの経路を制御するイオン制御手段とを具えることを特徴とする表面処理装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48

FI (2件)：

H01J 37/317 B ,  C23C 14/48 Z

Fターム (8件)：

4K029AA11 ,  4K029BD06 ,  4K029CA10 ,  4K029DE01 ,  4K029DE05 ,  5C034CC01 ,  5C034CC07 ,  5C034CD10