特許

J-GLOBAL ID：200903054510457305

半導体装置の製造方法

発明者： 石澤 路子
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248769
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077414
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】多層配線構造を有する半導体装置の製造工程のフォト工程で行う、ウエハ外周の周辺露光において、配線層のウエハ外周端部の剥がれによるパーティクル発生を防止する。【解決手段】第一配線層の周辺露光幅W1と、第二配線層の周辺露光幅W3を、配線層間絶縁膜酸化膜の周辺露光幅W2よりも大きくした事を特徴とする半導体装置製造方法である。【効果】W1>W2、W3>W2とすることで、第一配線層のウエハ外周端部は配線層間絶縁膜に覆われるので、第二配線層のエッチング時の影響を遮断でき、第一配線層のウエハ外周端部の剥がれを無くす事ができる。

請求項（抜粋）：

多層配線構造を有する半導体装置の製造工程のフォト工程で行う、ウエハ外周の周辺露光において、ウエハ外周端からの露光距離を、配線層では配線層間絶縁膜の周辺露光幅よりも大きくする事を特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/316 P

Fターム (8件)：

5F033AA04 ,  5F033AA09 ,  5F033BA12 ,  5F033BA41 ,  5F058BA10 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008525   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-275768   出願人：日本電気株式会社