特許

J-GLOBAL ID：200903054518179037

半導体等の製造方法

発明者： 佐藤 亮拿 ,  宝田 正昭
出願人/特許権者： 佐藤 亮拿
代理人 (1件)： 大西 孝治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-196793
公開番号（公開出願番号）：特開平7-024307
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月27日
要約：

【要約】【目的】 宇宙空間で製造されるものと同様な優れた特性を有する半導体等を大量に製造できるようにする。【構成】 マルチ電極2に三相交流を印加することにより電極間にマルチアーク4を発生させ、マルチアーク4によりマルチ電極2の略中心点に置かれた原料物質3を溶解せしめる。その後、溶解状態の原料物質3を予め定められた冷却速度に従って冷却させることにより目的物質たる半導体、合金、セラミック又はアモルファス等を製造する。

請求項（抜粋）：

複数の電極が点対象に配置されており、当該電極に多相交流を印加することにより前記電極間にマルチアークを発生させ、マルチアークにより前記複数の電極の中心点に置かれた原料物質を溶解せしめ、その後、溶解状態の原料物質を予め定められた冷却速度に従って冷却させることにより目的物質たる半導体、合金、セラミック又はアモルファス等を製造したことを特徴とする半導体等の製造方法。

IPC (4件)：

B01J 19/08 ,  C22B 9/20 ,  C22C 1/02 501 ,  C30B 15/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-124235
  
• 窒化物系サーメツトの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-228821   出願人：佐藤亮拿
• 特開昭64-002293