特許

J-GLOBAL ID：200903054521803132

温度検出用ダイオード付パワーMOSFET

発明者： 山口 和己 ,  沢田 雅己 ,  山田 学 ,  萩本 佳三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335188
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202129
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】半導体装置において、温度上昇により素子が破壊されるのを防止し、かつ、温度検出用ダイオードの静電耐量を向上させる。【構成】半導体素子と同一基板上に温度検出用多結晶シリコンダイオードを形成し、かつ、温度検出用ダイオードを、互いに逆方向で並列接続(個々のダイオードのアノードとカソードを接続し2本の端子とする)したことにより、半導体素子の温度上昇による熱破壊を防止し、かつ、温度検出用ダイオードの静電破壊を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体素子の表面上に絶縁膜を介して温度センサーを構成する層を備えたことを特徴とする半導体装置において、温度センサーは多結晶シリコン内に形成したダイオードを、互いに逆方向で並列接続(個々のダイオードのアノードとカソードを接続し、2本の端子としたもの)したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K ,  H01L 29/78 321 C ,  H01L 29/78 321 K