特許
J-GLOBAL ID：200903054521868005
半導体ウェハ上のダイのテスト方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 豊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-185428
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077298
出願日： 1993年06月29日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 独立した、かつ分離されていない状態のダイ102に電気的にアクセスすることにより、グループで、あるいは独立して各ダイ102に電力を供給し、各ダイ102に外部ソースから信号を供給し、あるいはさらにこれをテストするため半導体ウェハ上のダイのテスト方法を提供すること。【構成】 最終的に集積回路デバイスとして加工処理する個々のダイ102の複数個を、半導体ウェハ304上に画成し、選択された個々のダイ102に電力を供給するための電子的機構を半導体ウェハ304上に設け、この電子的機構と、個々のダイ102との間に複数本の導体ライン310を設けることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハ上の分離していない状態のダイに、外部の共通ソースから個々に信号を供給する方法であって、最終的に集積回路デバイスとして加工処理する個々のダイの複数個を、前記半導体ウェハ上に画成し、選択された個々のダイに電力を供給するための電子的機構を前記半導体ウェハ上に設け、この電子的機構と、前記個々のダイとの間に複数本の導体ライン(第1の導体ライン)を設けることを特徴とする半導体ウェハ上のダイのテスト方法。
IPC (2件)：
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