低抵抗単結晶炭化珪素の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-232966
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077594
出願日： 1995年09月11日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】この発明は、低抵抗率を有する単結晶炭化珪素を成長させる方法を提供することをその目的とする。【解決手段】種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、N型の不純物ガスである窒素の分圧を5Torr以上とし、残部を不活性ガスで制御する。

請求項（抜粋）：

種結晶を用いた昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、N型の不純物ガスである窒素の分圧を5Torr以上とし、残部を不活性ガスにより雰囲気圧力を制御することを特徴とする低抵抗炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 , C30B 23/02 , H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A , C30B 23/02 , H01L 33/00 A

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