特許

J-GLOBAL ID：200903054533630845

半導体装置の製造方法

発明者： 白岩 利章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-065083
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253265
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：

【課題】マスクを用いて基板に凹部を形成する途中で、マスクの開口部が少なくとも開口された状態を維持してマスクの上面に酸化シリコンを堆積する工程を備えることで、アスペクト比の大きな深い凹部を形成することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に、この基板11に凹部を形成するための開口部13が設けられたマスク12を形成し、マスク12を用いて基板11に凹部を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、マスク12を用いて基板11に凹部14を形成する途中で、マスク12の開口部13が少なくとも開口された状態を維持してマスク12の表面に酸化シリコン15を堆積する工程を備えた製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、この基板に凹部を形成するための開口部が設けられたマスクを形成し、 前記マスクを用いて基板に凹部を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、 前記マスクを用いて基板に凹部を形成する途中で、 前記マスクの開口部が少なくとも開口された状態を維持して前記マスクの表面に酸化シリコンを堆積する工程 を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824

FI (2件)：

H01L21/302 105A ,  H01L27/10 625Z

Fターム (15件)：

5F004AA04 ,  5F004AA09 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA06 ,  5F004EA40 ,  5F004EB04 ,  5F083AD15 ,  5F083GA27 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07