特許

J-GLOBAL ID：200903054544845738

ポリオルガノシルセスキオキサン及びその製造方法

発明者： 金子 信行 ,  鴨居 徳俊 ,  松井 二三雄
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306570
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128379
出願日： 1992年10月20日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：

【要約】【目的】 耐久性、性能などの面で充分な対策がなかったプラスチック製品の帯電防止法において、耐水性、透明性、光沢に富み、高温、高湿度下においても制電効果が高く、皮膜硬度が高い樹脂組成物を主要成分とする新規なポリオルガノシルセスキオキサンの開発。【構成】 一般式(1) R1 -SiO3/2 (R1 は第四級アンモニウム型カチオン基を置換基として有する炭素数1〜12の置換炭化水素基)、一般式(2) R2 -SiO3/2 (R2 は炭素数1〜3のアルキル基)、および一般式(3) R3 -SiO3/2 (R3 は重合性不飽和結合を含む有機残基)で示される構造単位を(1) :(2) :(3) のモル比が1 〜80: 5〜90:5 〜95(但し(1) +(2) +(3) =100 とする。)の割合で含有しており、かつ数平均分子量が600 〜100,000 であるラダータイプポリオルガノシルセスキオキサン。

請求項（抜粋）：

構成成分として、一般式(1)R1 -SiO3/2 ......(1)(但し、式中R1 は第四級アンモニウム型カチオン基を置換基として有する炭素数1〜12の置換炭化水素基)、一般式(2)R2 -SiO3/2 ......(2)(但し、式中R2 は炭素数1〜3のアルキル基)、および一般式(3)R3 -SiO3/2 ......(3)(但し、式中R3 は重合性不飽和結合を含む有機残基)で示される構造単位を(1):(2):(3)のモル比が1〜80:5〜90:5〜95(但し(1)+(2)+(3)=100とする。)の割合で含有しており、かつ数平均分子量が600〜100,000であることを特徴とするラダータイプポリオルガノシルセスキオキサン。

IPC (3件)：

C08G 77/26 NUJ ,  C09K 3/16 114 ,  C08F299/08