特許

J-GLOBAL ID：200903054546730032

積層セラミックバリスタ

発明者： 松田 清 ,  近藤 昭仁
出願人/特許権者： マルコン電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-178497
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012406
出願日： 1996年06月18日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 内部電極材料にPtに代わる安価なAg/Pdを使用する。【解決手段】 バリスタ材料がZnOを主成分とし、Bi2 O3 の含有量が0.2〜0.3mol%,BaO,SrO,CaOの中の少なくとも1種類を含み、かつBi2 O3 との合計mol%が0.33〜0.5mol%、またBaO,SrO,CaOの中の少なくとも1種を含む全モル数をx、Bi2 O3 のモル数をyとしたとき、x/y≦0.67であり、内部電極層が銀とパラジウムが重量比でAg85/Pd15 〜 Ag60/Pd40 である。

請求項（抜粋）：

一端が外部電極接続部に露出した相対向する内部電極を有する積層セラミックバリスタにおいて、1) 内部電極層が銀,パラジウム合金からなり、銀とパラジウムが重量比でAg/Pd=85/15〜60/40であること。2) セラミックバリスタはZnOを主成分とする組成からなり、Bi2 O3の含有量が0.2〜0.3mol%であること。またBaO,SrO,CaOの内少なくとも1種類を含み、かつBi2 O3 との合計mol%が0.33〜0.5mol%であり、またBaO,SrO,CaOの内少なくとも1種類を含む全モル数をx、Bi2 O3 のモル数をyとするとき、x/y≦0.67であることを特徴とする積層セラミックバリスタ。

IPC (4件)：

H01C 7/10 ,  C04B 35/453 ,  H01C 1/14 ,  H01C 7/18

FI (4件)：

H01C 7/10 ,  H01C 1/14 Z ,  H01C 7/18 ,  C04B 35/00 Q