特許
J-GLOBAL ID：200903054549394920
強誘電体薄膜微細パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 敏彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-299288
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136471
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】レジストを用いずに強誘電体薄膜微細パターンを形成する方法を提供する。【構成】化1に示されるような高分子化合物を用い、光を照射することによって分子同士を重合させて高分子を生成させて当該部分を硬化させ、低分子部分を選択的に除去し、この後新たに生成した高分子部分を熱処理することによって強誘電体薄膜微細パターンを形成する。【化1】
請求項（抜粋）：
強誘電体薄膜の微細パターンを形成する強誘電体薄膜の微細パターン形成方法であって以下の工程を含む、(a)不飽和結合を有する金属アルコキシドポリマーを含むコロイド溶液を基板に塗布する形成剤塗布工程、(b)所望の回路パターンに沿って電磁波あるいは粒子線を照射して該回路パターンの描画を行う描画工程、(c)描画工程を通過した基板を溶液に浸漬して所望の回路パターンを形成するディベロップ工程、(d)ディベロップ工程で形成された回路パターンの焼成を行う焼結工程。
IPC (2件)：
H01L 39/24 ZAA
, H05K 3/10
