特許

J-GLOBAL ID：200903054550468598

半導体装置

発明者： 吉岡 心平 ,  斉藤 康人
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝エー・ブイ・イー株式会社
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217049
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049281
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関するもので、特にパワーエレクトロニクス分野で制御用に使用されるスィツチング素子のサイリスタやパワートランジスタ等の実装構造での配線抵抗やインダクタンスの改善。【解決手段】 複数の半導体スイッチング素子1a、1bの相互の向きを変えて、基板3のランド4a、4bに実装する。

請求項（抜粋）：

一表面に正極電極と制御電極とが形成され且つ他表面に負極電極が形成された一対の半導体スイッチング素子と、前記いずれか一方の半導体スイッチング素子の前記正極電極と前記制御電極に半田接合されているとともに前記いずれか他方の半導体スイッチング素子の前記負極電極が半田接合されている配線基板とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 25/04 C ,  H01L 29/74 L ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/78 652 Q

Fターム (4件)：

5F005AF02 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F005GA03