半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016399
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213904
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】電極部分の劣化のないキャパシタ、及びそれを用いた、微細加工性に優れかつ電気的特性の良好な半導体装置を提供する。【解決手段】強誘電体膜4を有するキャパシタの下部電極に、導電性ホウ化物層もしくは導電性炭化物層2とPt等の金属層3の積層の電極を用いる。【効果】キャパシタの接触抵抗の増大や直列寄生容量の発生を抑さえることができ、電極部分の劣化がなく、微細加工性に優れ、かつ電気的特性の良好な半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

4a族、5a族、6a族、7a族、8族の遷移金属元素より選ばれた少なくとも1種類のホウ化物からなる第1の金属膜と、前記第1の金属膜上に設けられたPt、Pd、Ir、Rh、Re、RuO2のいずれかからなる第2の金属膜と、前記第2の金属膜上に設けられた強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に設けられた上部電極と有することを特徴とするキャパシタ。

IPC (8件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

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