特許

J-GLOBAL ID：200903054552321551

半導体レーザ装置,及びその製造方法

発明者： 宮崎 泰典
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213651
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078778
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 簡易な工程で作製でき、発光点が狭い範囲に集中したアレイ型半導体レーザ装置、及びその製造方法を提供する。【構成】 2個の単位半導体レーザが縦に積み重なってなる列が2列、その光の出射方向がすべて同一方向となるようにサブマウント3上に隣接して形成されており、各単位半導体レーザ1における活性層2は、その端面の中央より上側でかつ相隣接する単位半導体レーザの列に相対する側面に近い側に形成されている。【効果】 上記活性層の中心位置が上記端面の中央の上側にある従来のアレイ型半導体レーザ装置より、活性層の分布する領域すなわち発光領域を狭くすることができ、出射光のレンズ等による集光を容易にすることができる。

請求項（抜粋）：

同数の単位半導体レーザが縦に積み重なってなる列を2列その光の出射方向がすべて同一方向となるように隣接して備え、上記各単位半導体レーザの端面における活性層の中心位置は、該単位半導体レーザの端面の中央より相隣接する列に近い位置にあることを特徴とする半導体レーザ装置。