特許

J-GLOBAL ID：200903054552357734

半導体励起固体レーザ装置

発明者： 小島 哲夫 ,  安井 公治 ,  石森 彰
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267750
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 発振効率およびビーム品質を向上することができる半導体励起固体レーザ装置を得る。【構成】 レーザ共振器の基本ガウスモードのビームの直径より薄い厚み又は幅を持った断面矩形の形状の固体レーザ媒質4の周囲にこの固体レーザ媒質4とほぼ同じ屈折率を有する保持体7を密着接合させ一体化することにより、半導体レーザ1より出射された励起光3は、固体レーザ媒質4で基本ガウスモードのみが励起される。さらに、固体レーザ媒質4より広がった励起光3は、固体レーザ媒質4と保持体7の界面で反射されることなく透過し、保持体7の側面で全反射して固体レーザ媒質4内に閉じ込められ、レーザ光5の発振に寄与するために、効率良くレーザ光5を発振することができる。

請求項（抜粋）：

励起光を発生させる半導体レーザと、この半導体レーザにおける励起光が入射される固体レーザ媒質と、この固体レーザ媒質の周囲に設けられ、この固体レーザ媒質とほぼ同様の屈折率を有する保持体と、この固体レーザ媒質を介して配置され、レーザ光を出射させるレーザ共振器とを備え、上記固体レーザ媒質における厚さ又は幅、あるいは直径を上記レーザ共振器の基本ガウスモードのビーム径より小さく形成するとともに、上記保持体を上記固体レーザ媒質に密着接合したことを特徴とする半導体励起固体レーザ装置。

IPC (5件)：

H01S 3/02 ,  H01S 3/06 ,  H01S 3/08 ,  H01S 3/094 ,  H01S 3/098

FI (3件)：

H01S 3/02 Z ,  H01S 3/08 Z ,  H01S 3/094 S