特許

J-GLOBAL ID：200903054556727404

新規化学増幅型ポジ型ホトレジスト

発明者： 湯川 博人 ,  大久保 和喜 ,  田村 弘毅
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135491
公開番号（公開出願番号）：特開平11-327146
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：

【要約】【課題】 0.25μm以下、具体的には0.15〜0.22μmのような超微細パターンの形成に好適な感度、レジストパターン形状及び解像性に優れる新規化学増幅型ポジ型ホトレジストを提供する。【解決手段】 (A)酸によりアルカリ溶解性が増大する被膜形成樹脂成分及び(B)ポリ(ジスルホニルジアゾメタン)化合物からなる酸発生剤を含有させて、化学増幅型ポジ型ホトレジストとする。

請求項（抜粋）：

(A)酸によりアルカリ溶解性が増大する被膜形成樹脂成分及び(B)ポリ(ジスルホニルジアゾメタン)化合物からなる酸発生剤を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型ホトレジスト。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 503 A ,  H01L 21/30 502 R