特許

J-GLOBAL ID：200903054560218891

ヒューズ構造部およびその形成方法

発明者： アクセル・シー・ブリンツンガー ,  ロイ・イグルデン ,  ステファン・ジェイ・ヴェーバー ,  ペーター・ヴァイガント
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション ,  インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-171450
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024063
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイス用の垂直に配置したヒューズ構造部を提供すること。【解決手段】 ヒューズ・スタッド1を半導体デバイスの主平面に対して垂直に配置し、上部導電材料27および下部導電材料5に隣接して電気的に接続する。ヒューズ・ボイド3は、垂直に配置されたヒューズ・スタッド内にある。ヒューズは、とんでいない状態のとき、上部導電材料と下部導電材料の間の電気的接続を提供する。この電気的接続は、ヒューズに所定のレベルの電気エネルギーを通すことによって切断可能である。

請求項（抜粋）：

上部導電材料および下部導電材料に隣接して配置され電気的に接続された半導体デバイスの主平面に対して縦に配置された導電材料のヒューズ・スタッドと、前記垂直に配置されたヒューズ・スタッド内のヒューズ・ボイドとを備える、半導体デバイス用の縦型配置ヒューズ構造部であって、前記ヒューズ構造部は、とんでいない状態のとき、前記上部導電材料と前記下部導電材料の間の電気的接続を提供し、前記電気的接続が、所定のレベルの電気エネルギーを前記ヒューズ構造部中に通過することによって切断可能であるヒューズ構造部。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01H 85/044 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/90 A ,  H01H 85/00 T