特許
J-GLOBAL ID：200903054561824302
バラスト抵抗及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095076
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288298
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 バラスト抵抗を含むヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造を容易にする。【構成】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタを構成している半導体結晶中にAl<SB>x</SB>Ga<SB>0.5-x</SB>InP層(0<x≦0.5)からなるバラスト層7を形成する。【効果】 バラスト抵抗を外付けすることによる製造上の不安定要因が除去できる。
請求項（抜粋）：
半導体装置を構成している半導体結晶中に形成されたAl<SB>x</SB>Ga<SB>0.5-x</SB>InP層(0<x≦0.5)を含む、バラスト抵抗。
IPC (2件)：
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