特許

J-GLOBAL ID：200903054561910357

ウェハからチップを形成する方法

発明者： フランシス エム.メス ,  チェラパン ナラヤナン
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-178612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031115
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 非矩形の光学集積回路のダイ(チップ)から損傷領域を除去する方法を提供する。【解決手段】 本発明の一実施例によれば、集積回路を含むダイがCO2レーザによりウェハから分離(切断)された後、この切断プロセスの間に損傷を受けた基板材料を、選択性エッチングプロセスで除去する。損傷した基板材料の選択性エッチングは、ダイをエチレン ジアミン ピロカテコール(ethylene diaminepyrocatechol:EDP)、あるいは水酸化カリウム(KOH)の溶液の中に浸し、レーザ切断領域に隣接して存在する損傷した基板材料を除去するものである。

請求項（抜粋）：

(A) ウェハからチップを切り出すステップと、(B) 前記切り出されたチップの損傷領域の少なくとも一部をエッチングにより除去するステップとからなることを特徴とするウェハからチップを形成する方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 21/306 B ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-024944