結晶化装置、結晶化方法、デバイス、光変調素子、及び表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-089285
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317938
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】結晶成長の最終段階における熱拡散や潜熱放出の影響を抑えて、結晶核からの十分な結晶成長を実現して大粒径の結晶化半導体を生成することのできる結晶化装置。【解決手段】入射する第1光束の位相を変調して得られたV字型の第1光強度分布の光束を非単結晶半導体(5)上に形成するための第1光変調素子(1)と、入射する第2光束の位相を変調して得られた第2光強度分布の光束を非単結晶半導体上に形成するための第2光変調素子(2)と、第1光変調素子に第1光束を入射させ、V字型の第1光強度分布に対応して非単結晶半導体上に形成されるV字型の温度分布の高温領域における経時的な温度勾配の平坦化を補償するために、第1光変調素子への第1光束の入射開始から所定時間だけ遅れて第2光変調素子に第2光束を入射させるための照明系(3)とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入射する第1光束の強度を変調して非単結晶体上で第1光強度分布を有するようになる光束を非単結晶体に照射させて、非単結晶体を溶融するための第1光変調素子と、入射する第2光束の強度を変調して非単結晶体上で、前記第1光強度分布とは実質的に異なる第2光強度分布を有するようになる光束を前記非単結晶体上に照射させて、非単結晶体を溶融させるための第2光変調素子と、前記第1光強度分布を有する光束の照射により前記非単結晶体が部分的に溶融している期間内に、前記第2光強度分布の光束を前記非単結晶体の前記溶融している部分に入射させるための照明系とを具備する結晶化装置。

IPC (4件)：

H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (3件)：

H01L21/20 , H01L21/268 J , H01L29/78 627G

Fターム (53件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F152AA02 , 5F152AA06 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC04 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CE04 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE12 , 5F152CE16 , 5F152CF03 , 5F152CF13 , 5F152EE01 , 5F152EE04 , 5F152FF03 , 5F152FF06 , 5F152FF28 , 5F152FF32 , 5F152FG03 , 5F152FG05 , 5F152FG06 , 5F152FG19 , 5F152FG21

前のページに戻る