特許

J-GLOBAL ID：200903054576297660

トレンチゲート型半導体装置

発明者： 小野沢 勇一 ,  山崎 智幸
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-178591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358338
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：

【要約】【課題】トレンチ内にMOS構造のゲートが設けられたトレンチゲート型半導体装置において、ストライプ状トレンチの終端部のゲート酸化膜に起因するゲート耐圧低下の問題を解決し、ゲート酸化膜の信頼性を向上させる。【解決手段】?@トレンチ5の終端部のゲート酸化膜3aの厚さを、他のゲート酸化膜部分より厚くする。?Aトレンチ5の終端部をトレンチ5より深さの深いp終端領域26で囲む。

請求項（抜粋）：

第一導電型ドレイン層と、その第一導電型ドレイン層上に設けられた第二導電型チャネル領域と、第二導電型チャネル領域の表面層に選択的に形成された第一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面から第二導電型チャネル領域を貫通し第一導電型ドレイン層に達するトレンチと、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、第一導電型ソース領域と第二導電型チャネル領域との表面に共通に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層に接触して設けられたドレイン電極とからなるトレンチゲート型半導体装置において、ストライプ状トレンチの終端部のゲート酸化膜の厚さが、トレンチの他の部分のゲート酸化膜の厚さより厚いことを特徴とするトレンチゲート型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/74

FI (3件)：

H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/74 D

Fターム (5件)：

5F005AE09 ,  5F005AH03 ,  5F005BA02 ,  5F005BA03 ,  5F005BB02