特許
J-GLOBAL ID：200903054584521420

膜パターンの形成方法、薄膜製造装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

発明者：
長谷井 宏宣

長谷井 宏宣 について

, 
平井 利充

平井 利充 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303512
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146796
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】 インクジェット法により形成される膜パターンに、断線や短絡等の欠陥の発生を抑止する膜パターンの形成方法及び形成装置、並びに導電膜配線等を提供する。【解決手段】 導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、液滴を吐出する前に、基板上に表面処理を行う表面処理工程を備えてなり、表面処理工程によって、基板上の液体に対する接触角が設定される。特に、接触角は、15°以上45°以下に設定される。【選択図】 図18
請求項（抜粋）：
導電性微粒子を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、 前記液滴を吐出する前に、前記基板上に表面処理を行う表面処理工程を備えてなり、 前記表面処理工程によって、前記基板上の前記液体に対する接触角が設定されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (7件)：
H01L21/288 ,  B05C5/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L41/09
FI (7件)：
H01L21/288 Z ,  B05C5/00 101 ,  G02F1/1343 ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/88 B ,  H01L41/08 J
Fターム (58件)：
2H092GA26 ,  2H092GA28 ,  2H092GA32 ,  2H092GA33 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  4F041AA02 ,  4F041AA05 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  4F041BA22 ,  4F041BA38 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG20 ,  4M104HH14 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033VV15 ,  5F033XX34 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110EE42 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HL07 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 米国特許5132248号明細書
審査官引用 (6件)
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