半導体パッケージおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319218
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124402
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】パッケージ組立後のIC特性変動を小さくできる半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。【解決手段】アンダーフィル樹脂に含有するフィラーの粒径が、キャリア用基板表面とフェースダウンで接続される半導体素子表面の間隔より大きく、前記キャリア用基板と前記半導体素子の隙間には前記フィラーを含まない前記アンダーフィル樹脂により充填され、かつ前記隙間の外周は前記フィラーを含む前記アンダーフィル樹脂で覆われ、前記半導体素子全体および前記アンダーフィル樹脂を含む前記キャリア用基板表面がオーバーコート樹脂で覆われていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

キャリア用基板と、該キャリア用基板表面の導電パターンに、表面に形成された金属バンプがフェースダウンで接続される半導体素子と、前記キャリア用基板と前記半導体素子の隙間にアンダーフィル樹脂が充填されるとともに前記半導体素子全体および前記アンダーフィル樹脂を含む前記キャリア用基板表面を被覆するオーバーコート樹脂からなる半導体パッケージにおいて、前記アンダーフィル樹脂に含有するフィラーの粒径が前記キャリア用基板表面と前記半導体素子表面の間隔より大きく、前記キャリア用基板と前記半導体素子の隙間には前記フィラーを含まない前記アンダーフィル樹脂により充填され、かつ前記隙間の外周は前記フィラーを含む前記アンダーフィル樹脂で覆われ、前記半導体素子全体および前記アンダーフィル樹脂を含む前記キャリア用基板表面が前記オーバーコート樹脂で覆われていることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/28 , H01L 21/56 , H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/28 Z , H01L 21/56 E , H01L 23/12 L

Fターム (12件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109CA04 , 4M109EA02 , 4M109EB13 , 4M109EB19 , 4M109EC04 , 4M109EE02 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA04 , 5F061CB03

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