特許
J-GLOBAL ID：200903054592380259
シリコン単結晶のドナー処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-040040
公開番号（公開出願番号）：特開平7-247198
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 クラックを発生させることなくブロック状態でドナー処理を行えるようにする。【構成】 シリコン単結晶のブロック12を600°C以上に加熱してドナー処理を行うドナー処理部11、及びドナー再発生温度のすぐ下側の温度に維持された溶液5が満たされた冷却部4を備え、ドナー処理部11より搬出したブロック12を冷却部4内の溶液5に浸漬して冷却を行い、ドナーの再発生を防止する。
請求項（抜粋）：
シリコン単結晶のブロックをドナーが消滅する温度まで加熱してドナー処理を行うドナー処理部と、ドナーを再発生させる温度帯より低い温度の溶液が満たされた冷却部とを備え、前記ドナー処理部より搬出したブロックを前記冷却部内の溶液に浸漬して冷却を行うことを特徴とするシリコン単結晶のドナー処理装置。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, C30B 33/02
, H01L 21/322
