特許
J-GLOBAL ID:200903054602702896

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-050895
公開番号(公開出願番号):特開2003-321771
出願日: 2003年02月27日
公開日(公表日): 2003年11月14日
要約:
【要約】【課題】 スパッタリング中に、割れやクラック、異常放電の発生がなく、高速でかつ安定なスパッタリングが可能であり、記録再生特性に優れた相変化光記録媒体を高い生産性で得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 酸化物から選ばれる1種類以上の物質と炭化物から選ばれる1種類以上の物質から構成される焼結体でスパッタリングターゲットを構成し、焼結体中の炭化物含有量を0.1wt%以上20wt%以下、相対密度を70%以上とする。特に、Taの酸化物とSiの炭化物とを含む焼結体であって、該焼結体中のSiの炭化物の含有量が0.1wt%以上20wt%以下であり、かつ、相対密度が70%以上である焼結体でスパッタリングターゲットを構成する。
請求項(抜粋):
酸化物から選ばれる1種類以上の物質と、炭化物から選ばれる1種類以上の物質とから構成され、該炭化物の含有量が0.1wt%以上20wt%以下であり、かつ、相対密度が70%以上である焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件):
C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  G11B 7/26 531
FI (3件):
C23C 14/34 A ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 H
Fターム (33件):
4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030AA44 ,  4G030AA45 ,  4G030AA47 ,  4G030BA14 ,  4G030CA09 ,  4G030GA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA29 ,  4G030GA30 ,  4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BA43 ,  4K029BA55 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE09 ,  5D121EE11 ,  5D121EE13
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 光学情報記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-305852   出願人:松下電器産業株式会社
  • 光記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-151584   出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (9件)
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