特許

J-GLOBAL ID：200903054604555343

半導体装置

発明者： 宮崎 善久 ,  山本 浩 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153620
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347302
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の金属配線の角部に加わる応力を低減し、素子特性を改善する。【構成】 金属配線の上方の角部を切り落とすに当たり、金属配線のアスペクト比をra とし、角部を切り落とす以前の断面積に対する切り落とされた部分の断面積の割合で表される切り落とし量をs% とするとき、テーパー角度θを、θ=66.4 log(s・ra )-22.6±10に設定する。このように構成することによって、金属配線と、それを被覆する絶縁膜との熱膨張係数の差によって生ずる応力を、上方の角部は勿論のこと下方の角部においても低減でき、金属配線の亀裂および断線を抑止できる。

請求項（抜粋）：

上方の角部を除去してテーパーを付けた電極配線を有する半導体装置において、前記電極配線のアスペクト比をra とし、除去した部分の断面積が除去する前の全体の断面積に占める割合をs% としたとき、前記テーパー角度θを、θ=66.4 log(S・ra ) -22.6±10としたことを特徴とする半導体装置。