特許

J-GLOBAL ID：200903054608251993

液晶表示装置およびその製造方法

発明者： 河内 玄士朗 ,  阿武 恒一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019856
公開番号（公開出願番号）：特開平6-230428
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】液晶表示装置用の薄膜半導体装置において、大型化,高精細化に適し、高い製造歩留まりを実現できかつ、簡略な製造工程で製造できる構造及び製造方法を提供すること。【構成】走査信号電極をTaN電極100とTaN電極上に形成したAl電極11の積層膜で構成し、さらに上記積層膜の表面および側面に陽極酸化膜を形成し、外部接続端子は、上記陽極酸化膜をマスクとして上層のAl電極11をエッチング除去することによりTaN電極100のみを露出させて形成した。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成した走査信号電極と、前記走査信号電極に交差するように形成された映像信号電極と、前記走査信号電極と映像信号電極に交差点付近に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極からなるアクティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリックス基板を駆動する外部駆動回路とからなり、前記画素電極で液晶を駆動する機能を有する液晶表示装置において、前記走査信号電極と前記映像信号電極の内、少なくとも下層に形成された方の信号電極は、AlまたはAlを主成分とする合金膜からなる第1の導電膜と、前記第1の導電膜の下層に形成された第2の導電膜を含む少なくとも2層からからなり、かつ前記第2の導電膜は前記第1の導電膜よりも自己酸化膜の成長時の体積膨張率が大きい材料で構成されたことを特徴とする液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 P