特許

J-GLOBAL ID：200903054612420210

メモリモジュール

発明者： 徳永 宗治 ,  中島 孝郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-111713
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298153
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体記憶装置を親基板に実装する実装工程の後で、積層工程における不良品が確認された場合でもリワーク工程を簡略化でき、更には単体のモジュール基板でも大容量化を簡易に達成し得るメモリモジュールを提供する点にある。【解決手段】 本発明に係るメモリモジュール1は、半導体記憶装置4と導通する電極を周縁部に備えると共に単数または複数の半導体記憶装置4を装着された子基板5,5,...と、前記子基板5を装着して前記子基板5の周縁部の電極と導通するソケット3,3,...を表面に設けたモジュール基板2と、からなることを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

パッケージ化された半導体記憶装置を表裏両面の少なくとも一方に各一固着して実装し、且つ前記半導体記憶装置と導通する電極を周縁部に備えた子基板と、前記子基板を着脱自在に装着して前記子基板の電極と導通するソケットを複数個表面に設けたモジュール基板と、からなることを特徴とするメモリモジュール。

IPC (5件)：

H01L 25/10 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/11 ,  H01R 12/16 ,  H01R 33/76

FI (4件)：

H01R 33/76 ,  H01L 25/10 Z ,  H01L 25/14 Z ,  H01R 23/68 303 C

Fターム (20件)：

5E023AA04 ,  5E023AA16 ,  5E023AA18 ,  5E023AA22 ,  5E023AA29 ,  5E023BB17 ,  5E023BB22 ,  5E023BB25 ,  5E023BB29 ,  5E023CC02 ,  5E023CC03 ,  5E023CC24 ,  5E023CC26 ,  5E023GG01 ,  5E023HH01 ,  5E023HH11 ,  5E023HH30 ,  5E024CA04 ,  5E024CA05 ,  5E024CB01