特許

J-GLOBAL ID：200903054613770877

レーザリフトオフ工法

発明者： 熊澤 誠二 ,  中井 出
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246488
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087775
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】レーザ光を照射して基板上に成長したIII 族窒化物からなる半導体を基板から分離する際の割れの発生を防止する。【解決手段】基板1上に成長したIII 族窒化物からなる半導体層にレーザ光を照射することにより、基板1と半導体層を分離して半導体基板を得るレーザリフトオフ工法において、半導体層の中心を通る直線状の照射経路4a、4bに沿ってレーザ光を照射する動作を繰り返して半導体層の全体にレーザ光を照射し、あるいは任意の曲線あるいは直線状の照射経路に沿って半導体層にレーザ光を照射することにより半導体層を分割し、その後螺旋状の照射経路に沿って半導体層の全体にレーザ光を照射し、あるいは異なった位置を中心とする複数の螺旋状の照射経路に沿って半導体層の全体にレーザ光を照射することにより、半導体層を分離する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に成長したIII 族窒化物からなる半導体層にレーザ光を照射することにより、基板と半導体層を分離して半導体基板を得るレーザリフトオフ工法であって、半導体層の中心を通る直線状の照射経路に沿ってレーザ光を照射する動作を繰り返して半導体層の全体にレーザ光を照射することにより半導体層を分離することを特徴とするレーザリフトオフ工法。

IPC (3件)：

H01S5/343 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302

FI (3件)：

H01S5/343 610 ,  H01L21/268 E ,  H01L21/302 201B

Fターム (11件)：

5F004AA16 ,  5F004BA17 ,  5F004BB03 ,  5F004BB18 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F073CB03 ,  5F073CB05 ,  5F073CB06 ,  5F073DA04 ,  5F073DA17