特許

J-GLOBAL ID：200903054618441030

プラズマ処理装置の制御装置

発明者： 菅原 慶一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192995
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039772
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】良好なドライエッチング処理を実行する。【解決手段】ドライエッチング装置の制御装置1000は、処理後のウェハの品番と、パターン寸法に関するデータと、ウェハの処理中に測定されたインピーダンスおよび設定パラメータとを関連付けたデータベースを記憶するメモリ1030と、ドライエッチング装置を制御するCPU1020とを含む。CPU1020は、処理対象のウェハの品番に対応するインピーダンスをデータベースから読出す回路と、読出されたインピーダンスと、処理対象のウェハに対して測定されたインピーダンスモニタ値とを比較する回路と、その比較結果に基づいて、データベースに記憶された設定パラメータを使用して、設定されているパラメータを変更する回路とを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高周波電源からインピーダンス整合器を介してコイルに高周波電力を供給してチャンバ内に磁界を発生させ、前記チャンバ内に導入されたガスをプラズマ化してウェハを処理するドライエッチング装置の制御装置であって、前記ドライエッチング装置は、複数の設定パラメータにより処理条件が決定され、前記制御装置は、 前記コイルと前記インピーダンス整合器との間に配設され、インピーダンスを測定するための測定手段と、 処理後のウェハの形態に関するデータと、前記処理後のウェハに関する情報と、前記処理後のウェハの処理中に、測定されたインピーダンスおよび設定された設定パラメータとを関連付けて記憶するための記憶手段と、 前記測定手段と前記記憶手段とに接続され、前記ドライエッチング装置を制御するための制御手段とを含み、前記制御手段は、 処理対象のウェハと前記情報とに基づいて、前記処理対象のウェハに対応するインピーダンスを前記記憶手段から読出すための読出し手段と、 前記読出し手段により読み出されたインピーダンスと、前記処理対象のウェハに対して前記測定手段により測定されたインピーダンスとを比較するための比較手段と、 前記比較手段による比較結果を用いて、前記記憶手段に記憶された前記設定パラメータに基づいて、前記処理対象のウェハを処理するための設定パラメータを変更するための変更手段とを含む、ドライエッチング装置の制御装置。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (2件)：

H01L21/302 103 ,  H05H1/46 L

Fターム (23件)：

4K029BD01 ,  4K029DC35 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029EA04 ,  4K029EA09 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030JA00 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA16 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004AA01 ,  5F004BA14 ,  5F004BD03 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004CA09 ,  5F004CB07 ,  5F004CB15