特許
J-GLOBAL ID：200903054618944270
磁気抵抗センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013273
公開番号（公開出願番号）：特開平7-225925
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 スピンバルブ効果によって磁場を検出する磁気抵抗センサに関し、抵抗の変化を大きくして検出感度を向上する。【構成】 一方向に磁化されたFeMn等の反強磁性薄膜層4を挟んで形成したNiFe等の第1,第2の磁性薄膜層3,5と、これらの磁性薄膜層3,5にそれぞれ接してCu等の第1,第2の非磁性薄膜層2,6と、これらの非磁性薄膜層2,6にそれぞれ接してNiFe等の第3,第4の磁性薄膜層1,7とを基本構成とする。
請求項（抜粋）：
一方向に磁化された反強磁性薄膜層(4)の上下に配置した第1,第2の磁性薄膜層(3),(5)と、該第1,第2の磁性薄膜層(3),(5)にそれぞれ接して配置した第1,第2の非磁性薄膜層(2),(6)と該第1,第2の非磁性薄膜層(2),(6)にそれぞれ接して配置した第3,第4の磁性薄膜層(1),(7)とを少なくとも含む構成を有することを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
