特許
J-GLOBAL ID:200903054621322735
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
原 謙三
, 木島 隆一
, 金子 一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-012605
公開番号(公開出願番号):特開2004-228236
出願日: 2003年01月21日
公開日(公表日): 2004年08月12日
要約:
【課題】導体配線を形成する工程を簡略化することが可能で、低コストで簡便に製造することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ10の電極パッド1が形成されている面に、電極パッド1と接続した金属薄膜4を形成する工程と、金属薄膜4を互いに電気的に独立した複数の金属薄膜片に分割するように、金属薄膜4を物理的に切断する工程とから半導体装置を製造する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
複数の電極を有する半導体チップの該電極が形成されている面に、該電極と接続した導体層を形成する導体層形成工程と、
上記導体層を複数の部分導体領域に分割するように、上記導体層を物理的に切断する導体層切断工程とを有し、
上記導体層切断工程では、上記複数の部分導体領域が互いに電気的に独立するように切断が行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L23/12
, H01L25/04
, H01L25/18
FI (2件):
H01L23/12 501P
, H01L25/04 Z
引用特許:
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