特許

J-GLOBAL ID：200903054621836631

コンタクト孔の評価方法

発明者： 黒木 浩 ,  小澤 信男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288727
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129389
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造において形成されたコンタクト孔の評価を行う新規な方法。【構成】 形成されたコンタクト孔(3)をイオンビームアシストCVDによりタングステン(4)で埋め込み、そのタングステン荷電粒子を当てることにより生じる2次電子放出量を観測し、2次電子像が明るければコンタクト孔の正しい開孔を、暗ければその不良を判定する。

請求項（抜粋）：

導電性下地層上の絶縁膜に形成されたコンタクト孔内部をタングステンにより埋め込み、前記コンタクト孔内部のタングステンに荷電粒子を当てることにより前記タングステンから放出される2次電子像を観測し、前記2次電子像の明度が高い場合をコンタクト孔正常とし、低い場合をコンタクト孔不良と判定するコンタクト孔の評価方法。