特許

J-GLOBAL ID：200903054634903834

親水化した酸化物固体表面の高速疎水化方法

発明者： 亀井 雅之 ,  三橋 武文
出願人/特許権者： 文部科学省無機材質研究所長 ,  亀井 雅之 ,  三橋 武文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-343788
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158606
出願日： 1999年12月02日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 印刷技術や防曇、防汚技術において従来は数週間程度かかっていた疎水化プロセスを実用レベルまで高速化するとともに、従来は不可能であった、酸化物固体表面の全領域または任意の局所的領域を親水性表面から疎水性表面に高速に変化させる手段の開発。【解決手段】 本来疎水性であるアナターゼ型またはルチル型もしくは両者の混合の結晶構造を持つ二酸化チタン等の親水化した酸化物固体表面の所望の領域に、好ましくは水分子またはその変成物が吸着、結合、または接触している状態において、機械的な刺激を印加することにより、当該領域を疎水性に高速で変化させる。

請求項（抜粋）：

親水化した酸化物固体表面の所望の領域に機械的刺激を印加することにより、当該領域を疎水性に変化させることを特徴とする酸化物固体表面の高速疎水化方法。

IPC (8件)：

C01B 13/14 ,  B41C 1/10 ,  B41N 1/12 ,  C01G 23/04 ,  C04B 41/80 ,  C09K 3/18 ,  C09K 3/18 101 ,  C30B 29/16

FI (8件)：

C01B 13/14 A ,  B41C 1/10 ,  B41N 1/12 ,  C01G 23/04 C ,  C04B 41/80 Z ,  C09K 3/18 ,  C09K 3/18 101 ,  C30B 29/16

Fターム (23件)：

2H084AA40 ,  2H084BB04 ,  2H084CC05 ,  2H114AA04 ,  2H114AA14 ,  2H114AA22 ,  2H114DA08 ,  2H114EA01 ,  2H114FA16 ,  2H114GA05 ,  4G042DA01 ,  4G042DB27 ,  4G042DD02 ,  4G042DE12 ,  4G047CA02 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB04 ,  4G077FJ02 ,  4H020AA01 ,  4H020AB02 ,  4H020BA04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 結晶構造の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211232   出願人：松下電器産業株式会社
• 画像形成システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-227854   出願人：シャープ株式会社
• 特開昭50-051494
  

審査官引用 (1件)

• 結晶構造の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-211232   出願人：松下電器産業株式会社