特許

J-GLOBAL ID：200903054636931886

めっき方法及びめっき構造

発明者： 瀬川 雄司 ,  由尾 啓
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143620
公開番号（公開出願番号）：特開2001-323381
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置における接続孔や配線溝等の被めっき部を被着性良く、良好に埋め込むことのできる優れためっき方法及びめっき構造を提供すること。【解決手段】 ウエーハ41上の絶縁層2に設けた接続孔7を含む表面27に接触して触媒層30aを形成し、この触媒層30aをスクラビングによって除去し、接続孔7の触媒層30aを選択的残した後に、無電解めっきにより、コバルト又はコバルト化合物からなるバリア層5aを形成し、この上に無電解めっきにより銅8を埋め込み配線層31を形成する。これにより絶縁層2上にはバリア層5a及び銅配線8は形成されないため、めっき部のCMP工程を省くことができると共に、被着強度の高い配線層31を形成することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁層の凹部にめっきを施すに際し、前記凹部を含む面上に触媒層を形成する工程と、前記触媒層のうち前記凹部以外の触媒層部分を除去し、前記凹部に前記触媒層を選択的に残す工程と、この残された触媒層上において無電解めっきによりバリア層を形成する工程とを有するめっき方法。

IPC (4件)：

C23C 18/16 ,  C23C 18/18 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

C23C 18/16 B ,  C23C 18/18 ,  H01L 21/288 M ,  H01L 21/88 B

Fターム (47件)：

4K022AA05 ,  4K022AA15 ,  4K022AA17 ,  4K022AA37 ,  4K022BA06 ,  4K022BA08 ,  4K022BA12 ,  4K022BA16 ,  4K022BA24 ,  4K022BA32 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA11 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022DB11 ,  4K022DB15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033XX03