半導体素子併用遮断器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-029509
公開番号（公開出願番号）：特開平11-234894
出願日： 1998年02月12日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は高速かつ多頻度に遮断できる半導体素子併用遮断器を提供するにある。【解決手段】機械式遮断器と半導体素子遮断器を併用した半導体素子併用遮断器において、機械式遮断器と直列に電圧定格が低く低損失な自己消弧型半導体素子を設ける。【効果】機械式遮断器に直列接続した自己消弧型半導体素子で過電流を半導体素子遮断器に転流させるので機械式遮断器の接点損傷がなく、また該自己消弧型半導体素子に電圧定格の低い半導体素子を使えるので通電時の低損失化が図れる。

請求項（抜粋）：

電力系統の負荷に電力を供給する電路に接続されて負荷に電流を通電する機械式遮断器と該機械式遮断器に夫々並列接続された半導体素子遮断器とサージ電圧制限素子、過電流保護を含めた前記機械式遮断器と半導体素子遮断器の開閉動作を指令する制御装置、前記負荷の過電流を検出する過電流検出器から成る半導体素子併用遮断器において、前記機械式遮断器に自己消弧型半導体素子を直列接続し、該機械式遮断器と自己消弧型半導体素子の直列接続体に前記半導体素子遮断器とサージ電圧制限素子を夫々並列接続したことを特徴とする半導体素子併用遮断器。

IPC (3件)：

H02H 7/00 , H01H 33/00 , H02H 3/08

FI (3件)：

H02H 7/00 C , H01H 33/00 Z , H02H 3/08 A

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