特許
J-GLOBAL ID：200903054639044821
ポジ型レジスト組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-305271
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 遠紫外光、とくにKrF又はArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、現像欠陥、スカムの発生が防止され、得られるレジストパターンプロファイルが優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 エチレンオキシ鎖を有する特定の構造の基が、直接あるいは酸に対して安定な連結基を介して重合体主鎖に結合している、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
請求項（抜粋）：
下記一般式(I)で示される基が、直接あるいは酸に対して安定な連結基を介して重合体主鎖に結合している、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】R1〜R8は、各々独立に水素原子または置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Rは、水素原子あるいは、置換基を有していてもよい、アルキル基、環状アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。mは、1〜10の整数を表す。
IPC (2件)：
G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB06
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CB52
