特許
J-GLOBAL ID：200903054640068904
プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-169634
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022893
出願日： 1995年07月05日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：
【要約】【目的】 イオン入射ダメージを防止するとともに、異方性およびエッチングレートのいずれをも満たすプラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法を提供する。【構成】 基板ステージ2内に高透磁率材料層3を配設するとともに、基板ステージ2を直接接地電位に落とす。プラズマ発生源4からの発散磁界による磁力線は、基板ステージ2にほぼ垂直に入射する。【効果】 プラズマ中の正イオンのみならず、負イオンも磁力線に沿って被エッチング基板1に垂直に入射する。従来技術のように、シースによるイオンの加速を用いないので、基板ダメージは有効に防止できる。
請求項（抜粋）：
少なくとも磁界を利用したプラズマ発生源と、前記プラズマ発生源に連接するとともに、前記プラズマ発生源に対向して被エッチング基板を載置する基板ステージを内部に配設したプラズマ処理室とを具備するプラズマエッチング装置であって、前記基板ステージを接地電位とするとともに、前記基板ステージの略全面にわたり、高透磁率材料層を配設することを特徴とする、プラズマエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 D
, C23F 4/00 G
, C23F 4/00 C
