特許

J-GLOBAL ID：200903054645831789

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 下垣内 康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233390
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068515
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置に集積形成される薄膜トランジスタの活性層となる多結晶半導体薄膜の大粒径化を達成する。【解決手段】 薄膜半導体装置を製造する為、まず前工程を行ない、絶縁基板0の表面に金属膜を成膜してゲート電極1に加工する。この際、ゲート電極1の中央から周辺に向かって金属膜の厚みが漸減する様に加工して、後工程で加熱冷却を行なう際基板0の平面方向に温度勾配が生じる様に予め前処理を施す。次に成膜工程を行ない、ゲート絶縁膜23を介してゲート電極1の上方に半導体薄膜5を形成する。続いて後工程で、レーザ光50を照射して半導体薄膜5を一旦加熱溶融し冷却過程で結晶粒を成長させる。この際、温度勾配を利用してゲート電極1のパタンの中央から周辺に向かって結晶粒の成長を促進可能である。この後集積工程を行ない、結晶粒が成長した半導体薄膜5を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面に金属膜を成膜して所定のパタンに加工すると共に、該パタンの中央から周辺に向かって該金属膜の厚みが漸減するように加工して、後工程で加熱冷却を行う際平面方向に温度勾配が生じる様に予め前処理を施す前工程と、絶縁膜を介して該金属膜の上方に半導体薄膜を形成する成膜工程と、レーザ光を照射して該半導体薄膜を一旦加熱溶融し冷却過程で結晶粒を成長させる際、該温度勾配を利用して該パタンの中央から周辺に向かって結晶粒の成長を促進可能にする後工程と、結晶粒が成長した該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する集積工程とを行なう薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 617 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (14件)：

5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA12 ,  5F052EA13 ,  5F052EA15 ,  5F052FA19 ,  5F052GB11 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06