特許
J-GLOBAL ID：200903054646617632
半導体装置の電極引き出し方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-067153
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283546
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】MOSトランジスタのウエルとその表面部の逆の導電形のソース層からソース電極を引き出すに要するチップ面積を減少させる。【構成】接続穴9を絶縁膜8とn形のソース層6を貫通してその下のp形のウエル4に達するようエッチングで掘り込み、この接続穴9の中でタングステンシリサイド等の接続膜11をウエル4とソース層6の双方にオーミック接続させ、接続膜11をゲート5の上側等に引き出してソース電極13と接続することにより、従来はソース層6の側方のウエル4の表面に拡散していたp形のコンタクト層を省略してソース電極の引き出しに要するチップ面積を節約する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の所定の半導体領域およびその表面部に逆導電形で拡散された半導体層に接続された電極を引き出す方法であって、半導体面を覆う絶縁膜および半導体層を貫通してその下側の半導体領域に達するように接続穴を掘り込み、接続穴の内表面で半導体層と半導体領域の双方に対して導電接触する接続膜を配設し、接続膜から電極を引き出すようにしたことを特徴とする半導体装置の電極引き出し方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 21/90
